| 3E003 |
“Technologie” wie folgt für die
“Entwicklung” oder “Herstellung” folgender Güter: |
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a) |
mikroelektronische
Vakuumbauelemente, |
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b) |
elektronische
Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high
electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors),
quantum well devices oder super lattice devices, |
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Anmerkung: |
Nummer 3E003b erfasst nicht
"Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit
Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar
transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. |
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c) |
"supraleitende" elektronische
Bauelementen, |
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d) |
Substrate mit Diamantfilmen
für elektronische Bauelemente, |
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e) |
Substrate aus
silicon-on-insulator (SOI) für integrierte Schaltungen, wobei der
Isolator aus Siliziumdioxid besteht, |
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f) |
Substrate aus Siliziumkarbid
für elektronische Bauelemente, |
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g) |
‚elektronische
Vakuumbauelemente‘ mit Betriebsfrequenzen grösser/gleich 31,8
GHz. |
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