3B001

3B	Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen
3B001	Ausrüstung für die Fertigung von Halbleiterbauelementen oder -materialien wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür:
	Anmerkung:			SIEHE AUCH NUMMER 2B226.
	a)	Epitaxieausrüstung wie folgt:
		1.	Ausrüstung, entwickelt oder modifiziert für die Herstellung einer Schicht aus einem anderen Material als Silizium mit einer gleichmässigen Schichtdicke mit weniger als ± 2,5 % Abweichung auf einer Strecke von grösser/gleich 75 mm,
			Anmerkung:			Unternummer 3B001a1 erfasst auch Ausrüstung für Atomlagen-Epitaxie (Atomic Layer Epitaxy (ALE)).
		2.	MOCVD-(Metal-Organic-Chemical-Vapour-Deposition-)Reaktoren, konstruiert für Verbindungshalbleiterepitaxie auf einem Material, das zwei oder mehr der folgenden Elemente enthält: Aluminium, Gallium, Indium, Arsen, Phosphor, Antimon oder Stickstoff,
		3.	Molekularstrahlepitaxie-Ausrüstung, die Gas- oder Feststoff-Quellen verwendet;
	b)	Ausrüstung, konstruiert für Ionenimplantation und mit einer der folgenden Eigenschaften:
		1.	nicht belegt,
		2.	konstruiert und optimiert, um für die Wasserstoff-, Deuterium- oder Heliumimplantation bei einer Elektronenenergie grösser/gleich 20 keV und einem Strahlstrom grösser/gleich 10 mA zu arbeiten,
		3.	mit Direktschreibbetrieb,
		4.	Elektronenenergie grösser/gleich 65 keV und Strahlstrom grösser/gleich 45 mA für das Implantieren von Sauerstoff mit hoher Energie in ein erhitztes Halbleiter“substrat”oder
		5.	konstruiert und optimiert, um für die Siliziumimplantation in ein auf 600 °C oder mehr erhitztes Halbleiter“substrat” bei einer Elektronenenergie grösser/gleich 20 keV und einem Strahlstrom grösser/ gleich 10 mA zu arbeiten,
	c)	nicht belegt,
	d)	nicht belegt,
	e)	zentrale Waferhandlingsysteme für das automatische Beladen von Mehrkammersystemen mit allen folgenden Eigenschaften:
		1.	Schnittstellen für Waferein- und -ausgabe, an die mehr als zwei funktionell unterschiedliche, von Unternummer 3B001a1, 3B001a2, 3B001a3 oder 3B001b erfasste ‘Halbleiterprozessgeräte’ angeschlossen werden sollen, und
		2.	entwickelt, um ein integrales System zur ‚sequenziellen, multiplen Waferbearbeitung‘ innerhalb einer geschlossenen Vakuumumgebung aufbauen zu können,
			Anmerkung:			Unternummer 3B001e erfasst nicht automatische Robotersysteme für das Waferhandling, die besonders für die parallele Waferbearbeitung ausgelegt sind.
			Technische Anmerkungen:
			1.	‚Halbleiterprozessgeräte‘ im Sinne von Unternummer 3B001e sind modulare Anlagen für funktionell unterschiedliche physikalische Einzelprozesse zur Herstellung von Halbleitern, wie z. B. Beschichten, Implantieren oder thermisches Behandeln.
			2.	‚Sequentielle, multiple Waferbearbeitung‘ im Sinne von Unternummer 3B001e bedeutet die Eigenschaft, jeden Wafer in verschiedenen ‚Halbleiterprozessgeräten‘ zu bearbeiten, indem der Wafer mit Hilfe des zentralen Waferhandlingsystems von einem Gerät zu einem zweiten Gerät und weiter zu einem dritten Gerät transferiert wird.
	f)	Lithografieanlagen wie folgt:
		1.	Step-and-repeat(direct step on wafer)- oder step-and-scan(scanner)-Justier- und Belichtungsanlagen für die Waferfertigung, die lichtoptische oder röntgentechnische Verfahren verwenden und eine der folgenden Eigenschaften haben:
			a)	Wellenlänge der Lichtquelle kleiner als 193 nm oder
			b)	geeignet, ‘kleinste auflösbare Strukturbreiten’ (KAS) von kleiner/gleich 45 nm zu erzeugen,
				Technische Anmerkung:
				Die ‘kleinste auflösbare Strukturbreite’ KAS wird berechnet nach der Formel:
				wobei K = 0,35
		2.	Anlagen für die Imprintlithographie, geeignet für die Herstellung von Strukturen kleiner/gleich 45 nm,
			Anmerkung:			Unternummer 3B001f2 schliesst ein:
						—	Anlagen für den Mikrokontaktdruck (micro contact printing tools),
						—	Anlagen für den Druck mit heissen Stempeln (hot embossing tools),
						—	Anlagen für die Nano-Imprint-Lithographie,
						—	Anlagen für S-FIL (step and flash imprint lithography).
		3.	Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung mit allen folgenden Eigenschaften:
			a)	abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder “Laser”-Strahlen und
			b)	mit einer der folgenden Eigenschaften:
				1.	Fokusgrösse (spot size) mit einer Halbwertsbreite (full-width half-maximum (FWHM)) kleiner als 65 nm und einer Justiergenauigkeit (image placement) kleiner als 17 nm (Mittelwert + 3 Sigma) oder
				2.	nicht belegt,
				3.	Überdeckungsfehler (overlay error) der zweiten Schicht auf der Maske kleiner als 23 nm (Mittelwert + 3 Sigma),
				4.	Anlagen für die Halbleiterherstellung, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften:
					a)	abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen und
					b)	mit einer der folgenden Eigenschaften:
						1.	Mindeststrahlgrösse (Minimum beam size) kleiner/gleich 15 nm oder
						2.	Überdeckungsfehler (overlay error) kleiner als 27 nm (Mittelwert + 3 Sigma),
	g)	Masken oder Reticles, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen,
	h)	Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, nicht von Unternummer 3B001g erfasst, mit einer der folgenden Eigenschaften:
		1.	Hergestellt auf einem “monolitischen“ Masken-“Substrat” (mask „substrate blank“) aus Glas mit einer Doppelbrechung kleiner als 7 nm/cm oder
		2.	konstruiert für die Verwendung in Lithografieanlagen mit einer Lichtquelle mit einer Wellenlänge kleiner als 245 nm,
		Anmerkung:			Unternummer 3B001h erfasst nicht Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, entwickelt für die Fertigung von Speicherbauelementen, die nicht von Nummer 3A001 erfasst sind.
	i)	Matrizen (templates) für die Imprintlithographie, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen.