| 3C001 |
Hetero-epitaxiale Werkstoffe oder
Materialien aus einem "Substrat", das mehrere Epitaxieschichten aus
einem der folgenden Materialien enthält: |
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a) |
Silizium (Si), |
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b) |
Germanium (Ge), |
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c) |
Siliziumkarbid (SiC)
oder |
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d) |
"III/V-Verbindungen " von
Gallium oder Indium. |
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Anmerkung: |
Unternummer 3C001d erfasst
nicht ein “Substrat” mit einer oder mehreren p-Typ-Epitaxieschichten
aus GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP,
InGaP, AlInP oder InGaAlP, unabhängig von der Folge der Elemente,
ausser wenn die p-Typ-Epitaxieschicht zwischen n-Typ-Schichten
liegt. |
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