| 3C002 |
Fotoresists wie folgt und
"Substrate", die mit folgenden Fotoresists beschichtet sind: |
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a) |
Fotoresists, entwickelt für
die Halbleiter-Lithografie, wie folgt: |
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1. |
Positiv-Fotoresists,
eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als
245 nm und grösser/gleich 15 nm, |
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2. |
Fotoresists, eingestellt
(optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 15 nm und
grösser als 1 nm, |
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b) |
alle Fotoresists, entwickelt
zur Verwendung mit Elektronen- oder Ionenstrahlen mit einer
Empfindlichkeit von besser/gleich 0,01 μcoulomb/mm2
, |
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c) |
nicht belegt, |
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d) |
alle Fotoresists, optimiert
für Oberflächen-Belichtungstechnologien, |
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e) |
alle Fotoresists, entwickelt
oder optimiert für die Verwendung in von Unternummer 3B001f2 erfassten
Anlagen für die Imprintlithografie, die entweder thermische oder
lichtaushärtende Prozesse verwenden. |
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