2B005

2B	Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen
2B005	Ausrüstung, besonders konstruiert für die Abscheidung, Bearbeitung und Verfahrenskontrolle von anorganischen Auflageschichten, sonstigen Schichten und oberflächenverändernden Schichten, wie folgt, auf Substrate aus Spalte 2 durch Verfahren aus Spalte 1, die in der nach Unternummer 2E003f aufgeführten Tabelle dargestellt sind, und besonders konstruierte Bauteile zur automatischen Handhabung, Positionierung, Bewegung und Regelung hierfür:
	a)	Herstellungsausrüstung für die chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD = chemical vapour deposition) mit allen folgenden Eigenschaften:
		Anmerkung:			SIEHE AUCH NUMMER 2B105.
		1.	Verwendung eines für eine der folgenden Beschichtungsarten abgeänderten Verfahrens:
			a)	CVD-Beschichten bei pulsierendem Druck,
			b)	thermische Beschichtung mit geregelter Keimbildung (CNTD = controlled nucleation thermal deposition) oder
			c)	plasmaverstärktes oder -unterstütztes CVD-Beschichten und
		2.	mit einer der folgenden Eigenschaften:
			a)	mit rotierenden Hochvakuumdichtungen (Druck kleiner/gleich 0,01 Pa) oder
			b)	mit Schichtdickenüberwachung in der Anlage;
	b)	Herstellungsausrüstung für die Ionenimplantation mit Strahlströmen grösser/gleich 5 mA;
	c)	Herstellungsausrüstung für die physikalische Beschichtung aus der Dampfphase (PVD = physical vapour deposition) mittels Elektronenstrahl (EB-PVD) mit einer Stromversorgungsanlage von mehr als 80 kW Nennleistung und mit einer der folgenden Eigenschaften:
		1.	mit eingebautem “Laser”-Regelsystem für den Stand des Flüssigkeitsbads, das die Zufuhrgeschwindigkeit des Schichtwerkstoffs genau regelt, oder
		2.	mit eingebautem Monitor zur rechnergesteuerten Überwachung der Abscheiderate bei einer Schicht aus zwei oder mehreren Elementen, wobei das Verfahren auf dem Prinzip der Fotolumineszenz der ionisierten Atome im Dampfstrahl beruht;
	d)	Herstellungsausrüstung für das Plasmaspritzen mit einer der folgenden Eigenschaften:
		1.	Betrieb in geregelter Schutzgasatmosphäre bei verringertem Druck (kleiner/gleich 10 kPa, gemessen oberhalb des Spritzdüsenaustritts und innerhalb eines Umkreises von 300 mm um den Austritt) in einer Vakuumkammer, in der der Druck vor dem Spritzvorgang auf 0,01 Pa reduziert werden kann, oder
		2.	mit Schichtdickenüberwachung in der Anlage;
	e)	Herstellungsausrüstung für die Kathodenzerstäubungs-(Sputter-)Beschichtung, geeignet für Stromdichten von 0,1 mA/mm2 oder höher bei einer Beschichtungsrate grösser/gleich 15 μm/h;
	f)	Herstellungsausrüstung für die Bogenentladungs-Kathodenzerstäubungs-Beschichtung (cathodic arc deposition), die über ein Gitter aus Elektromagneten zur Steuerung des Auftreffpunkts des Lichtbogens auf der Kathode verfügt;
	g)	Herstellungsausrüstung zur Ionenplattierung, geeignet um in der Anlage eine der folgenden Eigenschaften zu messen:
		1.	Schichtdicke auf dem Substrat und Abscheidegeschwindigkeit oder
		2.	optische Eigenschaften.
	Anmerkung:			Nummer 2B005 erfasst nicht Ausrüstung für chemische Beschichtung aus der Gasphase, Bogenentladungs- Kathodenzerstäubungs-Beschichtung, Kathodenzerstäubungs-Beschichtung, Ionenplattierung oder Ionenimplantation, besonders konstruiert für Schneidwerkzeuge oder für Werkzeuge zur spanenden Bearbeitung.